特許
J-GLOBAL ID：200903015967673245
半導体受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-238485
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082829
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 選択拡散によるp+ -n型のプレーナ型のInGaAspinフォトダイオードを考える。半絶縁性基板を用いて受光部とは別のメサ領域を設け、この領域にpパッド電極を形成し、これとp+ 領域とを段差配線で接続する構造の素子の場合、この段差配線をリフトオフ工程により歩留りよく形成することが困難であるという問題点があった。本発明は、この段差配線をリフトオフ工程により歩留りよく形成することのできる構造を提供することにある。【構成】 本発明が提供する半導体受光素子は、半絶縁性基板を用いたプレーナ型フォトダイオードで、拡散領域を含むメサとは別のメサと拡散領域とを段差配線で結ぶ構造を持つ半導体受光素子において、拡散領域を含むメサ上以外の全部分、あるいは一部分の段差配線の幅が、拡散領域を含むメサ上の幅より大きくなるようにする。
請求項（抜粋）：
半絶縁性基板を用いたプレーナ型フォトダイオードで、拡散領域を含むメサとは別のメサと拡散領域とを段差配線で結ぶ構造を持つ半導体受光素子において、拡散領域を含むメサ上以外の全部分、あるいは一部分の段差配線の幅が、拡散領域を含むメサ上の幅より大きくなっていることを特徴とする半導体受光素子。
IPC (2件)：
前のページに戻る
