特許
J-GLOBAL ID：200903015968971045
半導体磁器原料粉末の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-111020
公開番号（公開出願番号）：特開平5-306165
出願日： 1992年04月30日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：
【要約】【目的】 組成が均一で粒子が微細な半導体磁器原料粉末を得ること。【構成】 一般式: (Ba・A1・A2)(Ti・B1・B2)O3+M(但し、A1はSr及び/又はPb、A2はLa、Th及びCeからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素、B1はNb、Sb、Ta及びWからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素、B2はSn及び/又はZr、MはMn、Fe、Cu及びCrからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素である。)で表わされるチタン酸バリウム系正特性半導体磁器の構成元素のうちBa、Sr及びM以外の構成元素の複合アルコキシドを調製し、これを水酸化ストロンチウムの共存下若しくは非共存下、水酸化バリウムと80°C以上の強アルカリ溶液中で反応させ、該反応液に前記構成元素Mのアルコキシド若しくは複合アルコキシドを添加反応させる。
請求項（抜粋）：
一般式: (Ba・A1・A2)(Ti・B1・B2)O3+M(但し、A1はSr及び/又はPb、A2はLa、Th及びCeからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素、B1はNb、Sb、Ta及びWからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素、B2はSn及び/又はZr、MはMn、Fe、Cu及びCrからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素である。)で表わされるチタン酸バリウム系正特性半導体磁器の製造方法を製造するにあたり、前記一般式で表される複合酸化物の構成元素のうちBa、A1のうちのSr及びMを除く他の構成元素の複合アルコキシドを調製し、これをSr供給源としての水酸化ストロンチウムの共存下若しくは非共存下、Ba供給源としての水酸化バリウムと80°C以上の強アルカリ溶液中で反応させ、該反応液に前記一般式で表わされる複合酸化物の構成元素のうちMに属する元素の少なくとも一種の元素のアルコキシド若しくは複合アルコキシドを添加反応させることを特徴とするチタン酸バリウム系正特性半導体磁器原料粉末の製造方法。
IPC (8件)：
C04B 35/46
, C01G 1/00
, C01G 23/00
, C01G 30/00
, C01G 33/00
, C01G 35/00
, C01G 37/02
, H01L 41/187
