磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-062944
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180470
出願日： 2006年03月08日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

【課題】本発明の目的は、高出力でかつ磁界を検知する感度が良好な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】GMR膜30は、下地層31、反強磁性層32、固定磁化積層体33、非磁性金属層37、拡散防止層38、自由磁化層39、保護層40が順次積層された構成からなる。拡散防止層38はCo、Fe、およびNiからなる群のうち少なくとも1種の元素を含みかつMnを含まない強磁性材料からなり、自由磁化層39を、三元系の組成図において、各組成の座標を(Co含有量,Mn含有量,Al含有量)として表すと、点A(44,23,33)、点B(48,25,27)、点C(60,20,20)、点D(65,15,20)、点E(65,10,25)、点F(60,10,30)として、点A、点B、点C、点D、点E、点F、および点Aをこの順にそれぞれ直線で結んだ領域ABCDEFA内の組成から選択する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

固定磁化層と、非磁性金属層と、自由磁化層と、が積層されたCPP型の磁気抵抗効果素子であって、前記自由磁化層はCoMnAlからなり、前記非磁性金属層と自由磁化層との間に、該自由磁化層に含まれるMnの非磁性金属層への拡散を防止する拡散防止層を備え、前記CoMnAlが、三元系の組成図において、各組成の座標を(Co含有量,Mn含有量,Al含有量)として表すと、点A(44,23,33)、点B(48,25,27)、点C(60,20,20)、点D(65,15,20)、点E(65,10,25)、点F(60,10,30)として、点A、点B、点C、点D、点E、点F、および点Aをこの順にそれぞれ直線で結んだ領域内の組成を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子(但し、各含有量は原子%で表す。)。

IPC (10件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , C22C 19/07 , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/14 , H01F 10/32 , G01R 33/09 , G11C 11/15

FI (10件)：

H01L43/08 M , H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , C22C19/07 C , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/14 , H01F10/32 , G01R33/06 R , G11C11/15 112

Fターム (19件)：

2G017AA01 , 2G017AD55 , 2G017AD60 , 2G017CB26 , 5D034BA05 , 5D034BA12 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5E049DB04 , 5E049DB14 , 5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083JA39 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19

引用特許：

出願人引用 (1件)

磁気検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-015001 出願人：アルプス電気株式会社

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