特許
J-GLOBAL ID：200903015972779450
フォトレジスト除去方法及びフォトレジスト除去装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-099159
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029209
出願日： 1992年04月20日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、半導体装置及び液晶表示装置の製造工程におけるパターン形成時のフォトリソグラフィー法で使用されたフォトレジストの除去方法及び除去装置に関するもので、比較的簡易な方法及び構成によってリンス液による剥離液の置換を均一且つ効率よく処理することが可能なフォトレジスト除去方法及びフォトレジスト除去装置を提供する。【構成】 フォトレジストの剥離液4による溶解処理後、基板に付着したフォトレジストを溶解した剥離液4を除去する第一のリンス工程7の際、基板1の搬送方向と相対する方向であって、基板の搬送方向の幅に一様に噴射されたリンス液によって剥離液を均一且つ効率的に置換する。【効果】 リンス液による剥離液の置換時に部分的なリンス液の淀みが発生しないことから、局部的なリンス不良がなくなり、歩留まりが高く、信頼性に優れた半導体装置及び液晶表示装置を製造できる。
請求項（抜粋）：
有機系剥離液を用いたフォトレジスト除去方法であって、剥離液によるフォトレジストの溶解処理を行う剥離工程の後、基板に付着したフォトレジストを溶解した剥離液を除去する第一のリンス工程の際、基板の搬送方向と相対する方向であって、基板の搬送方向の幅に一様に噴射されたリンス液によって剥離液を置換することを特徴とするフォトレジスト除去方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/42
, H01L 21/304 341
