特許
J-GLOBAL ID：200903015976256592
無電解ニッケル-ホウ素めっき皮膜の活性化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-132032
公開番号（公開出願番号）：特開平8-325744
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月10日
要約：
【要約】【目的】 熱処理した無電解Ni-Bめっき皮膜を表面活性化する。【構成】 無電解Ni-Bめっき皮膜を所定膜厚より2〜5μm厚く形成し、これが非酸化性雰囲気中で加熱された後、めっき皮膜の表層をエッチングにより除去して所定厚みにする。例えば、セラミック基板上の導体層の上に無電解Ni-Bめっき皮膜を所定より2〜5μm厚く形成し、非酸化性雰囲気中でピンのろう付けを行った後、エッチングして所定厚みにし、置換金めっきを行い、チップをはんだ付けしてICパッケージを製造する。【効果】 置換金めっきの析出速度が速く、はんだ濡れ性が良好。
請求項（抜粋）：
結晶粒構造を持つ基体上に無電解ニッケル-ホウ素めっき皮膜を所定膜厚より2〜5μm厚く形成し、形成されためっき皮膜を非酸化性雰囲気中で加熱した後、めっき皮膜の表層をエッチングにより除去して所定厚みにすることを特徴とする、非酸化性雰囲気中で加熱された無電解ニッケル-ホウ素めっき皮膜の活性化方法。
IPC (3件)：
C23C 18/52
, C23C 18/18
, H05K 3/24
C23C 18/52 B
, C23C 18/18
, H05K 3/24 A
