特許
J-GLOBAL ID:200903015976983915

導電膜及び低反射導電膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 泉名 謙治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-321495
公開番号(公開出願番号):特開平5-132341
出願日: 1991年11月11日
公開日(公表日): 1993年05月28日
要約:
【要約】【構成】ルテニウム化合物と、Si、Zr、Ti、Al、Sn等の化合物を含む塗布液をガラス基体上に塗布、加熱して導電膜を形成する。さらにその上に低屈折率膜を形成し、低反射導電膜を形成する。【効果】大面積にわたり、効率よく優れた低反射導電膜を形成できる。
請求項(抜粋):
ルテニウム化合物と、その他の金属化合物とを含む塗布液を基体上に塗布した後、加熱することを特徴とする、酸化ルテニウムを含む導電膜の製造方法。
IPC (5件):
C03C 17/25 ,  C03C 17/34 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H01J 9/20

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