特許

J-GLOBAL ID：200903015984616050

不揮発性記憶装置

発明者： 宿利 章二 ,  味香 夏夫
出願人/特許権者： 株式会社GENUSION
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-034246
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197624
出願日： 2004年01月09日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】 低電圧で書込み・消去が可能で、書換え後の高温リテンション不良を撲滅でき、100nm以下への微細化に適した不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 不揮発性メモリセルのゲート絶縁膜をONO膜とし、その上部にフローティングゲートを備え、前記フローティングゲートへのチャンネルホットエレクトロン注入による書込み動作と、前記フローティングゲートへのホットホール注入による消去動作を行うことにより、頑強なリテンション寿命を持ち、かつメモリセルの動作電圧の低い(例えば8V以下)不揮発性メモリが実現できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、ソース、ドレイン、ゲート絶縁膜、フローティングゲート、層間絶縁膜、およびコントロールゲートを持つ電気的に書き込み可能な不揮発性記憶素子において、前記ゲート絶縁膜が複数種の絶縁膜の積層膜からなり、前記フローティングゲートへのチャンネルホットエレクトロン注入による書込み動作と、前記フローティングゲートへのホットホール注入による消去動作を行うことを特徴とする不揮発性記憶装置。

IPC (4件)：

H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (63件)：

5F083BS00 ,  5F083EP02 ,  5F083EP03 ,  5F083EP13 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP34 ,  5F083EP49 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083EP77 ,  5F083ER02 ,  5F083ER09 ,  5F083ER11 ,  5F083ER22 ,  5F083ER29 ,  5F083ER30 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA21 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083KA01 ,  5F083KA06 ,  5F083KA08 ,  5F083LA08 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083NA06 ,  5F083PR05 ,  5F083PR12 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA14 ,  5F101BA01 ,  5F101BA02 ,  5F101BA17 ,  5F101BA23 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BA36 ,  5F101BA45 ,  5F101BB05 ,  5F101BC11 ,  5F101BD02 ,  5F101BD22 ,  5F101BD33 ,  5F101BD35 ,  5F101BD36 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF02 ,  5F101BF10 ,  5F101BH03 ,  5F101BH15 ,  5F101BH19

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第5,768,192号公報
  
• 米国特許第5,966,603号公報
  
• 米国特許第6,011,725号公報
  
• 米国特許第6,180,538号公報