特許
J-GLOBAL ID：200903015986987200
イオントフォレーシス装置の電極構造体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132676
公開番号（公開出願番号）：特開2000-316991
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年11月21日
要約：
【要約】【課題】 経済性、操作性、安定性および安全性に優れたイオントフォレーシス装置の電極構造体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 イオントフォレーシス装置の電極構造体は、成形部を有する基材フィルム1と、成形部の内底より外周部を通過して形成された陽極側及び陰極側電極層14、15と、成形部の外周部に形成された絶縁層3とを有するバッキングを備える。このバッキングの成形部はくぼみを有しており、ここに陽極側及び陰極側導電層12、13がそれぞれ配置される。これらの導電層12、13を絶縁層3との間でシールするためフタ材8が設けられる。基材フィルム1の背面には皮膚貼付用の粘着シート10が備えられ、フタ材8の上には粘着シート用ライナー16が設けられる。
請求項（抜粋）：
成形部を有する基材フィルム、前記成形部の内底より外周部を通過して形成された電極層、および前記電極層の上部であって少なくとも前記成形部の外周部に形成された絶縁層を有するバッキングと、前記成形部に配置された導電層と、前記導電層を保護するフタ材とを備えたことを特徴とするイオントフォレーシス装置の電極構造体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
4C053BB04
, 4C053BB06
, 4C053BB07
, 4C053BB22
, 4C053BB32
, 4C053HH02
, 4C053HH04
