特許

J-GLOBAL ID：200903015990430449

基板の割断方法、電気光学装置の製造方法

発明者： 安達 勲
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-285268
公開番号（公開出願番号）：特開2007-090760
出願日： 2005年09月29日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【課題】脆性材料からなる基板の端部近傍等における割断を割断予定線に沿って精度よく行うことを可能とする技術を提供すること。 【解決手段】脆性材料からなる基板を割断する方法であって、一方向に延伸したビーム断面を有する第1及び第2のレーザービーム(A,B)を、上記ビーム断面の延伸方向と上記基板の割断予定線(K)の延伸方向とが平行となり、かつ当該延伸方向と直交する方向に隣接して配置されて上記割断予定線上に照射されるように光路設定を行う第1過程と、上記割断予定線を挟んで上記基板の端部又は上記基板に接して設けられるシール部材に近い側に照射される上記第1のレーザービームの強度を上記第2のレーザービームの強度よりも相対的に低く設定して、上記第1及び第2のレーザービームを上記割断予定線に沿って進行させながら照射する第2過程と、を含む、基板の割断方法である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

レーザービームを用いて脆性材料からなる基板を割断する方法であって、 一方向に延伸したビーム断面を有する第1及び第2のレーザービームを、前記ビーム断面の延伸方向と前記基板の割断予定線の延伸方向とが平行となり、かつ当該延伸方向と直交する方向に隣接して配置されて前記割断予定線上に照射されるように光路設定を行う第1過程と、 前記割断予定線を挟んで前記基板の端部又は前記基板に接して設けられるシール部材に近い側に照射される前記第1のレーザービームの強度を前記第2のレーザービームの強度よりも相対的に低く設定して、前記第1及び第2のレーザービームを前記割断予定線に沿って進行させながら照射する第2過程と、 を含む、基板の割断方法。

IPC (6件)：

B28D 5/00 ,  B23K 26/40 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/067 ,  B23K 26/00 ,  C03B 33/09

FI (6件)：

B28D5/00 Z ,  B23K26/40 ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/067 ,  B23K26/00 N ,  C03B33/09

Fターム (14件)：

3C069AA03 ,  3C069BA08 ,  3C069BB03 ,  3C069BC03 ,  3C069CA11 ,  3C069EA01 ,  3C069EA02 ,  4E068AE01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA09 ,  4E068CD02 ,  4E068CD04 ,  4E068DB13 ,  4G015FA06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第5609284号明細書