特許
J-GLOBAL ID：200903015992057230
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-245909
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198599
出願日： 1992年08月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 ゲート耐圧の高い半導体装置を安定に形成できる製造方法を得る。【構成】 半導体基板1a上にレジストパターンをマスクとしてゲート領域に溝を形成した後、イオン注入して動作層1bを形成し、さらにその濃度がピークとなる位置に高濃度注入層1cの濃度ピークが合うようにイオン注入を施し、前記動作層1b上にゲート電極2を、また、高濃度注入層1c上にソース・ドレイン電極5を形成する。【効果】 溝の端部に電界集中させることにより、ゲート電極2端の電界集中が緩和され、耐圧が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲート領域が開口したレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして開口部の前記半導体基板をエッチングして溝を形成する工程と、前記溝の底面のみにイオン注入して動作層を形成する工程と、前記開口部内壁にサイドウォールを形成する工程と、前記開口部をマスクで覆い前記半導体基板にイオン注入により高濃度注入層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/285
