特許
J-GLOBAL ID：200903015995863912
半導体樹脂封止用金型及びそれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-313829
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153506
出願日： 1995年12月01日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【課題】薄型の半導体装置でも樹脂封止する際に、半導体素子の割れの発生を防止して離型することが可能な半導体樹脂封止用金型と信頼性の高い樹脂封止された半導体装置の製造方法とを実現する。【解決手段】上型1、中型2及び下型3の三つのブロックから構成される半導体樹脂封止用金型であって、上型1と中型2との間でランナ8及びそれに連結されたゲート6を形成し、中型2と下型3との間でゲート6に連結されたキャビティを形成し、下型のキャビティ面に貫通穴10を設けると共に、貫通穴内にエジェクタピン9を配設する。エジェクタピン9の上面は、下キャビティ4の底面より低い位置に設けることが好ましい。インサート品となる半導体素子の裏面を下キャビティ4の底面に接触させて樹脂を注入し、離型工程においては、エジェクタピン9を上方向に動かし、半導体素子14の裏面を押圧して離型するように制御する。
請求項（抜粋）：
上型、中型及び下型の三つのブロックから構成される半導体樹脂封止用金型であって、上型と中型との間で形成されたランナと、このランナに連結されて中型に形成されたゲートと、ゲートに連結されて中型と下型との間で形成されたキャビティと、半導体素子を搭載したリードフレームを中型と下型の間に挟持し、半導体素子が接触する下型のキャビティ底面に形成された貫通穴と、この貫通穴内に配設されたエジェクタピンとを有して成る半導体樹脂封止用金型。
IPC (5件)：
H01L 21/56
, B29C 45/02
, B29C 45/14
, B29C 45/26
, B29L 31:34
H01L 21/56 T
, B29C 45/02
, B29C 45/14
, B29C 45/26
