特許

J-GLOBAL ID：200903015996026100

光アイソレータ及び半導体光集積装置

発明者： 原 真二郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-072935
公開番号（公開出願番号）：特開2002-277826
出願日： 2001年03月14日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：

【要約】【課題】 光アイソレータ及び半導体光集積装置に関し、様々な光素子と同一光軸上にモノリシックに集積化することが可能な光アイソレータを提供し、半導体レーザ、光導波路、光合波器、光増幅器、光スイッチなどの各種光素子を任意の個数及び位置に配設した高集積化半導体光集積装置の実現に寄与しようとする。【解決手段】 化合物半導体に磁性イオンを添加してなる希薄磁性半導体材料、若しくは、磁性体/半導体複合材料からなるファラデー回転子12と、該回転子12の両端に接して配設され光の偏光方向に対して選択的な吸収を生じる二色性を示す構造異方性をもつ微粒子が添加された液晶からなる液晶偏光子14A及び14Bとを備える。

請求項（抜粋）：

化合物半導体に磁性イオンを添加してなる希薄磁性半導体材料、若しくは、磁性体/半導体複合材料からなるファラデー回転子と、該回転子の両端に接して配設され光の偏光方向に対して選択的な吸収を生じる二色性を示す構造異方性をもつ微粒子が添加された液晶からなる液晶偏光子とを備えてなることを特徴とする光アイソレータ。

IPC (3件)：

G02B 27/28 ,  G02B 6/122 ,  G02F 1/13 505

FI (3件)：

G02B 27/28 A ,  G02F 1/13 505 ,  G02B 6/12 B

Fターム (15件)：

2H047KA03 ,  2H047LA18 ,  2H047LA26 ,  2H047MA07 ,  2H047NA06 ,  2H047QA02 ,  2H047RA08 ,  2H047TA05 ,  2H047TA21 ,  2H047TA43 ,  2H088EA47 ,  2H088HA28 ,  2H099AA01 ,  2H099BA03 ,  2H099CA11