特許
J-GLOBAL ID：200903015996495828
半導体製造装置、半導体製造装置のクリ-ニング方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-373738
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195830
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 ドライエッチング処理毎にクリーニング処理を実施して、ドライエッチング処理時に形成された膜を除去する。【解決手段】 上部電極3は、アルマイト処理されたAl製の電極板31及び電極板ステー32から成り、Al製のチャンバ2の上面にアルマイト処理されたAl製の上部電極支え33を介して配置される。両者31,32を固定するネジはAlO2セラミックス製のキャップ34で覆われる。下部電極4は、アルマイト処理されたAl製の基板ステージ41と、Ti2O3を少量添加したアルミナセラミックス製の基板保護シート45と、AlO2セラミックス製の基板押さえ46とを有し、チャンバ2の下面にアルマイト処理されたAl製の下部電極台43を介して配置される。チャンバ2の側壁面上にAlNセラミックス製の内壁材22が側壁面に沿って配置される。ゲートバルブ21は表面がアルマイト処理されたAlより成る。
請求項（抜粋）：
チャンバ内に設けられた基板ステージ上に配置された基板に対して、少なくとも炭素原子及びフッ素原子を含むプロセスガスによるプラズマ処理を行う半導体製造装置であって、前記チャンバの内部の内で少なくともプラズマに接する部分が、酸素原子のプラズマに対する耐性を有する物質から構成されることを特徴とする、半導体製造装置。
Fターム (23件)：
5F004AA15
, 5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004BA09
, 5F004BA16
, 5F004BB11
, 5F004BB18
, 5F004BB21
, 5F004BB22
, 5F004BB23
, 5F004BB28
, 5F004BB29
, 5F004BB30
, 5F004DA01
, 5F004DA16
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB00
, 5F004DB03
, 5F004DB26
, 5F004DB27
, 5F004EA28
, 5F004EA32
