特許
J-GLOBAL ID：200903015996680730
電界効果トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-085798
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275650
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 nチャネルFETの意図しないディプリーション型化による不良やpチャネルFETのしきい値電圧が負に大きくずれる不良を防止する。【構成】 nチャネルTFTのゲート絶縁膜6を形成した後に、酸素雰囲気中またはオゾン雰囲気中において10〜600°Cの温度で10秒間以上アニールを行う。
請求項（抜粋）：
ゲート絶縁膜を形成した後に酸化性雰囲気中で10秒間以上熱処理を行う工程を含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/316
, H01L 27/10 371
H01L 29/78 311 Y
, H01L 29/78 301 F
, H01L 29/78 311 G
