特許
J-GLOBAL ID：200903016000203970
高耐圧半導体装置及びその製造方法並びにそれを用いた電力変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-308980
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163881
出願日： 1992年11月18日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 高耐圧と高信頼を共に有する高耐圧半導体装置とその製造方法及びその半導体装置を用いた電力変換装置を提供すること。【構成】 半導体基板の円周端面の二重ベベル加工により断面径寸法が最小になっている点Sから、nベース層1の中にn+型高濃度不純物層を円周面の全周にわたって形成し、これによりチャネルストッパとしての働きが得られるようにしたもの。【効果】 この反転層を介してnベ-ス表面に隣接するpベ-ス層2とpエミッタ層3が連結されるのが防止されるため、漏れ電流の経時的な増大はなく、順方向阻止耐圧の劣化を生じないので、高耐圧、高信頼性が達成できる。
請求項（抜粋）：
少なくともnエミッタ層とpベース層、nベース層、それにPエミッタ層を順次備えたほぼ円板状の半導体基板の円周端面に、上記nベース層内で上記半導体基板の断面径寸法が最小になるようにして二重正ベベル加工が施された高耐圧半導体装置において、上記半導体基板の円周端面の二重正ベベル加工により最小断面径寸法となっている部分の表面から上記nベース層内の全周にわたって該nベース層よりも高不純物濃度のn型半導体層を設け、該n型半導体層によりチャネルストッパが形成されるように構成したことを特徴とする高耐圧半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/74
, H02M 7/04
, H02M 7/515
