特許
J-GLOBAL ID：200903016002517654
プラズマ気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-014881
公開番号（公開出願番号）：特開平5-209278
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】気密状態のチャンバー内にプロセスガスを導入し、そこでプラズマを発生させてウェハー上に薄膜を形成する際、均熱板のゆがみによって生じる成長膜厚面内ばらつきの低減を図る。【構成】ヒーターがヒーターA5,ヒーターB11に分割され、それぞれに自動温調器A6と熱電対A9,および自動温調器B12と熱電対B13を備え、それぞれ分割されたヒーターを独立して制御する機構を備えている。
請求項（抜粋）：
気密状態のチャンバー内にプロセスガスを導入し、そこでプラズマを発生させることによりヒーター加熱された被処理基板上に薄膜を形成するプラズマ気相成長装置において、複数のゾーンに分割された前記ヒーター温度を独立に制御する機構を備えることを特徴とするプラズマ気相成長装置。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31
