特許

J-GLOBAL ID：200903016004816489

不揮発性メモリ素子

発明者： 北原 義久
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-348230
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172098
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】 フローティングゲートとコントロールゲートに挟まれたコントロールゲート絶縁膜中の可動イオンを効果的に捕獲することができるようにする。【解決手段】 シリコン基板1上には、フローティングゲート絶縁膜2、フローティングゲート3、コントロールゲート絶縁膜4およびコントロールゲート5が順に形成され、これらはゲッタリング作用を有するPSGやBPSG等を用いたパッシベーション膜6によって被覆されている。フローティングゲート3およびコントロールゲート絶縁膜4の平面面積は、コントロールゲート5の平面面積よりも大きく形成され、パッシベーション膜6はコントロールゲート絶縁膜4の側部のみならず、上面の一部にも接触している。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にフローティングゲート絶縁膜を介してフローティングゲートが形成され、フローティングゲート上にコントロールゲート絶縁膜を介してコントロールゲートが形成され、これらフローティングゲート絶縁膜、フローティングゲート、コントロールゲート絶縁膜およびコントロールゲートが、ゲッタリング作用を有するパッシベーション膜によって被覆された不揮発性メモリ素子であって、フローティングゲートおよびコントロールゲート絶縁膜の面積がコントロールゲートの面積よりも大きく形成されていることを特徴とする不揮発性メモリ素子。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 21/322 R ,  H01L 27/10 434