特許
J-GLOBAL ID：200903016007873505
ドライエツチング装置及びドライエツチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-177071
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029262
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 ドライエッチング装置及びドライエッチング方法に関し、交互に積層された絶縁膜と導電膜とのエッチングを効率良く短時間で行うことを目的とする。【構成】 個別にエッチング条件が設定される第一のエッチング室3及び第二のエッチング室4と、この両者に連通する真空搬送路7と、試料の搬送とエッチングのシーケンスを制御する制御ユニット9とを有するドライエッチング装置とし、交互に積層された絶縁膜と導電膜を、個別にエッチング条件が設定された第一のエッチング室3と第二のエッチング室4とを交互に使用し、真空破壊することなく連続してエッチングする。
請求項（抜粋）：
個別にエッチング条件が設定される第一のエッチング室(3)及び第二のエッチング室(4) と、該第一のエッチング室(3) と該第二のエッチング室(4) とに連通する真空搬送路(7) と、制御ユニット(9) とを有し、該制御ユニット(9) は試料を真空破壊することなく該第一のエッチング室(3)と該第二のエッチング室(4) に交互に搬入するように制御することを特徴とするドライエッチング装置。
IPC (2件)：
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