熱処理方法及び熱処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-102417
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299328
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】処理容器内の反射率の変化に対応させて設定温度を変化させることにより、熱処理の再現性を向上させることが可能な熱処理方法を提供する。【解決手段】内部の反射率が被処理体Wの処理枚数に従って経時変化するような処理容器14内にて加熱媒体上に被処理体を載置し、前記加熱媒体を加熱手段50により加熱することにより前記被処理体を加熱して所定の熱処理を施すようにした熱処理方法において、前記被処理体を所定枚数処理する毎に前記反射率の経時変化の変動量を求める工程と、前記反射率の経時変化の変動量に応じて前記加熱媒体の設定温度を変更するように制御する工程とを有する。これにより、処理容器内の反射率の変化に対応させて設定温度を変化させることにより、熱処理の再現性を向上させる。

請求項（抜粋）：

内部の反射率が被処理体の処理枚数に従って経時変化するような処理容器内にて加熱媒体上に被処理体を載置し、前記加熱媒体を加熱手段により加熱することにより前記被処理体を加熱して所定の熱処理を施すようにした熱処理方法において、前記被処理体を所定枚数処理する毎に前記反射率の経時変化の変動量を求める工程と、前記反射率の経時変化の変動量に応じて前記加熱媒体の設定温度を変更するように制御する工程とを有することを特徴とする熱処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 14/50 , C23C 16/46

FI (3件)：

H01L 21/31 B , C23C 14/50 E , C23C 16/46

Fターム (32件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029DA08 , 4K029EA00 , 4K029EA08 , 4K029EA09 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030HA13 , 4K030JA10 , 4K030JA16 , 4K030KA24 , 4K030KA41 , 5F045AB31 , 5F045AF19 , 5F045BB03 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EB02 , 5F045EB03 , 5F045EC03 , 5F045EF05 , 5F045EK09 , 5F045EK14 , 5F045EK21 , 5F045EK27 , 5F045EM02 , 5F045EM09 , 5F045EM10 , 5F045EN04 , 5F045GB05 , 5F045GB11

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-206524
ウエハ加熱装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-015562 出願人：富士通株式会社
熱処理方法および半導体単結晶基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-049697 出願人：信越半導体株式会社

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