特許
J-GLOBAL ID:200903016012319648

新規な9-アミノアクリジン誘導体及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 富田 和子 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-589519
公開番号(公開出願番号):特表2002-533328
出願日: 1999年12月17日
公開日(公表日): 2002年10月08日
要約:
【要約】本発明は、下記一般式(I)の新規な9-アミノアクリジン誘導体又はその薬学的に許容可能な塩と、それらの製造方法とに関する。ここで、Aは水素原子又は(II)(ここで、Xは酸素原子又は硫黄原子、R1、R2、R3、R4及びR5はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシ基、C1〜C4の低級アルキルヒドロキシ基、C1〜C4の低級アルキルアミノ基、C1〜C8のアルキル基、C1〜C4の低級アルコキシ基、又は、C1〜C4の低級アルキルカルボニル基であり、m及びnはそれぞれ独立に0,1又は2である)であり、R6、R7、R8及びR9は、それぞれ独立に、C1〜C8のアルキル基又はC1〜C4の低級アルコキシ基であり、Yは、水素原子、アミノ基、-N=CHR’(ここで、R’は水素原子、ベンジル基、C1〜C8のアルキル基又はC1〜C6の低級アルキルアミノ基)、(III)(ここで、R”は水素原子、ベンジル基、C1〜C8のアルキル基又はC1〜C6の低級アルキルアミノ基であり、R'''は水素原子、ベンジル基、C1〜C8のアルキル基又はアミノ保護基である)、又は、(IV)(ここで、Xは前述の通りであり、R1’、R2’、R3’、R4’及びR5’は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシ基、C1〜C4の低級アルキルヒドロキシ基、C1〜C4の低級アルキルアミノ基又はC1〜C8のアルキル基、C1〜C4の低級アルコキシ基又はC1〜C4の低級アルキルカルボキシ基であり、q及びrは、それぞれ独立に、0,1又は2である)である。【化1】
請求項(抜粋):
下記一般式(I)で表わされる化合物、又は、その薬学的に許容可能な塩。【化1】 ここで、Aは水素原子、又は、【化2】(ここで、Xは酸素原子又は硫黄原子、R1、R2、R3、R4及びR5はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシ基、C1〜C4の低級アルキルヒドロキシ基、C1〜C4の低級アルキルアミノ基、C1〜C8のアルキル基、C1〜C4の低級アルコキシ基、又は、C1〜C4の低級アルキルカルボニル基であり、m及びnはそれぞれ独立に0,1又は2である)であり、 R6、R7、R8及びR9は、それぞれ独立に、C1〜C8のアルキル基又はC1〜C4の低級アルコキシ基であり、 Yは、水素原子、アミノ基、-N=CHR’(ここで、R’は水素原子、ベンジル基、C1〜C8のアルキル基又はC1〜C6の低級アルキルアミノ基)、【化3】(ここで、R”は水素原子、ベンジル基、C1〜C8のアルキル基又はC1〜C6の低級アルキルアミノ基であり、R'''は水素原子、ベンジル基、C1〜C8のアルキル基又はアミノ保護基である)、又は、【化4】(ここで、Xは前述の通りであり、R1’、R2’、R3’、R4’及びR5’は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシ基、C1〜C4の低級アルキルヒドロキシ基、C1〜C4の低級アルキルアミノ基又はC1〜C8のアルキル基、C1〜C4の低級アルコキシ基又はC1〜C4の低級アルキルカルボキシ基であり、q及びrは、それぞれ独立に、0,1又は2である)である。
IPC (3件):
C07D219/10 ,  A61K 31/473 ,  A61P 35/00
FI (3件):
C07D219/10 ,  A61K 31/473 ,  A61P 35/00
Fターム (11件):
4C034BD08 ,  4C034BD13 ,  4C086AA01 ,  4C086AA02 ,  4C086AA03 ,  4C086AA04 ,  4C086BC27 ,  4C086MA01 ,  4C086MA04 ,  4C086NA14 ,  4C086ZB26

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