特許

J-GLOBAL ID：200903016014528139

半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 島田 真一 ,  笠次 克尚 ,  宮田 敏光
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (2件)： 和泉 良彦 ,  小林 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-222873
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063968
出願日： 2002年07月31日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】装置を繰り返して使用する場合においても、反応室内の圧力の制御を正確に行うことを可能とする半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】ウェーハ7を収容し処理する外部反応管2及び内部反応管3と、ウェーハ7を加熱するヒータ4とを有し、外部反応管2及び内部反応管3内に反応ガスを給気するガス導入部8および外部反応管2及び内部反応管3内から反応ガスを排気する排気管9を有する半導体装置の製造装置において、排気管9に連結する圧力検出器14と、反応室5内の圧力を測定可能な箇所に設置された圧力検出器17を具備することを特徴とする半導体装置の製造装置を構成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

被処理基板を収容し処理する反応管と、前記反応管内に収容された前記基板を加熱する加熱装置とを有し、前記反応管内に反応ガスを給気するガス導入部および前記反応管内から反応ガスを排気する排気管を有する半導体装置の製造装置において、前記排気管に連結した第1の圧力検出器と、反応室内の圧力を測定可能な箇所に設置された、第2の圧力検出器を具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (2件)：

H01L21/31 ,  C23C16/52

FI (2件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/52

Fターム (22件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030HA15 ,  4K030JA09 ,  4K030KA04 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045EB02 ,  5F045EC02 ,  5F045EG02 ,  5F045GB06