特許
J-GLOBAL ID：200903016020189176

高熱伝導性窒化ケイ素焼結体及びその製造方法

発明者：
粟津 知之

粟津 知之 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-341193
公開番号（公開出願番号）：特開2000-169239
出願日： 1998年12月01日
公開日（公表日）： 2000年06月20日
要約：
【要約】【課題】 生産性の優れた方法で製造でき、機械的強度に優れ、且つ100W/mKを越える高い熱伝導率を有する窒化ケイ素焼結体を提供する。【解決手段】 窒化ケイ素焼結体の単一粒子内の転位密度が10μm/μm3以下に制御する。転位密度の制御は、原料粉末のX線回折における半価幅を低く抑えるか、焼結体を得るまでの工程で100kgf/cm2を越える圧力を加えない方法、又はSi粉末の窒化反応焼結による。転位密度を5μm/μm3以下に制御した窒化ケイ素焼結体は、140W/mK以上の高熱伝導率と、100kgf/mm2以上の曲げ強度を有している。
請求項（抜粋）：
窒化ケイ素単一粒子内の転位密度が10μm/μm3以下であることを特徴とする高熱伝導性窒化ケイ素焼結体。
IPC (3件)：
C04B 35/626 ,  C04B 35/591 ,  C04B 35/584
FI (3件)：
C04B 35/58 102 Q ,  C04B 35/58 102 V ,  C04B 35/58 102 P
Fターム (14件)：
4G001BA08 ,  4G001BA32 ,  4G001BA62 ,  4G001BB08 ,  4G001BB32 ,  4G001BC12 ,  4G001BC42 ,  4G001BC45 ,  4G001BC48 ,  4G001BC55 ,  4G001BC57 ,  4G001BD03 ,  4G001BD14 ,  4G001BE39
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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