特許
J-GLOBAL ID：200903016020383355
半導体受光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-034288
公開番号（公開出願番号）：特開平5-224101
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】 半導体受光素子表面への入射光の光強度密度を下げて空間電荷効果を減殺して相互変調歪を抑制する。【構成】 半導体受光素子1と、光学レンズ2と、光ファイバ3とから構成される半導体受光装置において、光ファイバ3の出射端3bから放射された光ビームが、半導体受光素子の表面の後方または前方で集光されるようにする。【効果】 有効受光径内に集光される光ビームのスポット径が大きくなり、光吸収領域での光強度密度が低減されるため、空間電荷効果の発生を防ぐことができる。また半導体受光素子の後方に集光されるときには、光ファイバの出射端へ戻る反射光のビーム径がコア3aの径より大きくなり反射減衰を大きくすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体受光素子、光ファイバおよび前記半導体受光素子と前記光ファイバとを光学的に結合させる光学レンズを備える半導体受光装置において、前記光ファイバの出射端から放射された光ビームが前記半導体受光素子に入射する際のビームスポットの結像位置が、前記半導体受光素子の入射側表面に対し、前方または後方にずれていることを特徴とする半導体受光装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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