特許

J-GLOBAL ID：200903016024218316

半導体装置の酸化膜の製造方法

発明者： 實地戸 雄幸 ,  二木 剛彦
出願人/特許権者： 株式会社高純度化学研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-057618
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218012
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 オゾンCVD法においてはオゾン濃度を高くする程、平坦性等の膜質の向上、速い堆積速度等の好結果を得ることができる反面、危険性の増大という問題点がある。このような技術的な壁を克服し、高いオゾン濃度でしかも危険性のないオゾンCVD法による半導体装置の酸化膜の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 有機基としてアルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、有機酸基、ジケトンのうち少なくとも一つを有する有機金属を原料として酸化膜を形成する場合、酸素オゾン比が2以下で、かつ、できるだけ小さくすること、好ましくは酸素濃度を零とし、同じオゾン濃度であるならば酸素の代わりに不活性ガスを用いるものである。ここで有機金属の金属元素はSi,B,P,Ge,As,Ta,Ti,Zr,Pbのいずれかの元素である。

請求項（抜粋）：

有機基としてアルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、有機酸基、ジケトンのうち少なくとも一つを有する有機金属を原料として酸化膜を形成する場合、酸素オゾン比が2以下である酸化剤を用いることを特徴とする半導体装置の酸化膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/205