特許

J-GLOBAL ID：200903016032525570

単結晶成長装置

発明者： 蔵本 誠
出願人/特許権者： 株式会社スーパーシリコン研究所
代理人 (1件)： 二瓶 正敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-093740
公開番号（公開出願番号）：特開2000-281482
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】【課題】 単結晶成長装置の周辺に単結晶の成長に不可欠な大きな装置が存在して、計測装置のような周辺機器類を設置することができない場合でも、チャンバ内部の監視、観察、計測などを可能とする単結晶成長装置を提供する。【解決手段】 チャンバ10と磁界発生装置28の間にできた狭い隙間に、窓30近傍にプリズム32を、プリズム32近傍に集光レンズ34を、集光レンズ34近傍に光ファイバ36の一端を設置した。チャンバ10内部からチャンバ10外部に発せられる光を、前記プリズム32により偏向し、偏向した光を集光レンズ34により集光し、集光させた光を光ファイバ36により計測機器38へと伝送した。

請求項（抜粋）：

単結晶の原料融液を融解させる石英ルツボと、前記石英ルツボが内部に配置されるチャンバと、前記チャンバの内部から前記チャンバの外部へ光を通過させる窓と、前記チャンバの外部にあって前記チャンバの内部を観察するための計測機器とを有し、種結晶を前記石英ルツボ内の前記原料融液に浸漬して引き上げることにより前記単結晶を引き上げるように構成された単結晶成長装置において、前記チャンバの内部から前記窓を通過して前記チャンバの外部へと発せられる光を偏向する手段と、偏向した前記光を集光する手段と、集光した前記光を前記計測機器に伝送する手段を有することを特徴とする単結晶成長装置。

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH04 ,  4G077EH07 ,  4G077PF04 ,  4G077PF08 ,  4G077PF53