特許
J-GLOBAL ID：200903016035190731
半導体装置、その製造方法および製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-115372
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321282
出願日： 1994年05月27日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板を複数枚積層した、非常に小型に集約された高機能な半導体装置を得る。【構成】 半導体基板8を複数枚積層し、その側面の表面部分を除去して電極パッド9を側面に露出させ、G・D法によりこの電極パッド9間を相互接続する配線層10を形成して一体の回路機能を構成する。
請求項（抜粋）：
素子構成され電極パッドが形成された半導体基板が複数枚積層され、上記電極パッドが、上記積層された半導体基板の側面に露出し、しかもこの側面に形成された配線層によって相互接続されて、一体の回路機能を構成したことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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