特許
J-GLOBAL ID：200903016040215785

有機EL表示装置

発明者：
伊賀 大輔

伊賀 大輔 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-034180
公開番号（公開出願番号）：特開2003-233332
出願日： 2002年02月12日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：
【要約】【課題】 有機平坦化膜からの脱ガスによって有機EL層が劣化するという問題を生じさせることなく、エッジカバー層開口部端での透明電極-陰極間ショートの発生を防止することができるアクティブマトリクス方式の有機EL表示装置を提供する。【解決手段】 透明絶縁性基板上にTFT回路部2および有機EL素子部4を備え、TFT回路部の表層部にはエッジカバー層30、有機EL素子部4の表層部にはエッジカバー層開口部32を有する有機EL表示装置において、エッジカバー層とエッジカバー層開口部との境界部分におけるエッジカバー層端部の角度θを30度以下とする。この場合、有機EL素子部の積層構造の低層部に、TFT回路部と有機EL素子部との段差を緩和する段差緩和層50を設けることが好ましい。
請求項（抜粋）：
透明絶縁性基板上にTFT回路部および有機EL素子部を備え、前記TFT回路部の表層部にはエッジカバー層、前記有機EL素子部の表層部にはエッジカバー層開口部を有する有機EL表示装置であって、前記エッジカバー層とエッジカバー層開口部との境界部分におけるエッジカバー層端部の角度θが30度以下であることを特徴とする有機EL表示装置。
IPC (6件)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (6件)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 619 A
Fターム (37件)：
3K007AB08 ,  3K007DB03 ,  5C094AA25 ,  5C094AA31 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094EA05 ,  5C094FA02 ,  5C094FA03 ,  5C094FB02 ,  5C094FB15 ,  5C094FB20 ,  5C094HA08 ,  5C094JA09 ,  5F110AA18 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110FF40 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110PP03
引用特許：
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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