特許

J-GLOBAL ID：200903016040834647

電子部品の電極形成方法

発明者： 千 田 厚 生 ,  高 野 良 比 古 ,  森 田 一 弘
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-133887
公開番号（公開出願番号）：特開平6-325974
出願日： 1993年05月11日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 部品ごとにめっき条件を決定する必要がなく、電解めっきに起因して電子部品が還元劣化するなどの各種不良が低減できる、電子部品の電極形成方法を提供する。【構成】 セラミック基体上に電極を形成する。さらに、セラミック基体を貴金属溶液に浸漬して、電極表面を貴金属で選択的に置換したのち、無電解めっきによって、電極上を半田膜またはスズで被覆する。

請求項（抜粋）：

セラミック基体上に電極を形成する工程、前記セラミック基体を貴金属溶液に浸漬し、前記電極表面を貴金属で活性化する工程、前記活性化された電極表面に無電解めっきにより半田膜またはスズ膜を形成する工程を含む、電子部品の電極形成方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-263112
  
• 特開昭57-018314