特許
J-GLOBAL ID：200903016049946332
空間光変調素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-137399
公開番号（公開出願番号）：特開平6-347820
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 遮光の効果を維持することができ、しかも画素欠陥の少ない空間光変調素子を提供する。【構成】 炭素粒子を30重量%だけ含有する光重合型の高分子膜8を2μmの膜厚で全面に塗布する。約90°Cの基板温度で約5分間にわたって加熱し、その後、全面露光することにより、光重合層9を形成する。再び約90°Cの基板温度で約5分間にわたって加熱する。酸素を遮断し紫外線を透過させる透過高分子膜としてポリビニルアルコール10を塗布し、約90°Cの基板温度で約5分間にわたって加熱する。再び全面露光し、溝部5の高分子膜8を光重合させる(光重合層11)。そして、酸素を用いたグロー放電によって全面異方性ドライエッチングを施すことにより、ポリビニルアルコール10と光重合層9とを除去し、溝部5に硬質な光重合層11を残して絶縁層12を形成する。
請求項（抜粋）：
透明導電性電極を具備した2枚の透明絶縁性基板で挟まれた領域に、整流性を有する光導電層と、液晶層と、これらの層の間の同一平面内に設けられ、かつ微小形状に分割された画素と、この平面とは異なる平面内に設けられ、前記画素間に位置する出力遮光膜と、前記画素と前記出力遮光膜との間に設けられた絶縁層とを少なくとも備えた空間光変調素子の製造方法であって、前記光導電層上に前記画素を形成すると共に、画素間に設けた溝部の底部に前記出力遮光膜を形成した後、特定の波長の光を吸収する材料を含有する光重合型の高分子膜を全面に塗布し、第1の光重合を行った後、酸素を遮断し紫外線を透過させる透過高分子膜を全面に塗布し、第2の光重合を行った後、酸素を用いて全面に反応性イオンエッチングを施すことにより、前記画素上の高分子膜と透過高分子膜とを除去すると共に、前記溝部に高分子膜を残して絶縁層を形成することを特徴とする空間光変調素子の製造方法。
IPC (2件)：
G02F 1/135
, G02F 1/13 500
