特許
J-GLOBAL ID：200903016050229458
光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 恒久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180859
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029662
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 複数の素子が搭載される光半導体装置の小型化を図る。【構成】 樹脂基板1の両面にモールド時にキャビティランナー部及び素子搭載部となる凹面20,21を設け、両面メッキパターンの一部を接続するためのスルーホール22及び多分割後電極となるスルーホールメッキ部2を設ける。そして、凹面20,21に素子3,4を搭載してモールド後、樹脂基板1を多分割に切断する。【効果】 受発光面は複雑なメッキパターンが不要となり、光学系レンズをパッケージの中心に設置でき、しかも装置自体も小型化する。
請求項（抜粋）：
樹脂基板にメッキパターンが設けられ、該メッキパターン上に複数の光半導体素子及び駆動素子が搭載され、該各光半導体素子及び駆動素子を透光性樹脂にてモールドして複数の光学系レンズ付きのパッケージが形成され、該パッケージを分離独立させるため樹脂基板をダイシングラインに沿って多分割に切断して成る光半導体装置において、前記樹脂基板の両面に光半導体素子及び駆動素子が搭載される素子搭載用凹面が設けられ、該両凹面内に、光半導体素子及び駆動素子がダイボンドされるヘッダー部と、光半導体素子及び駆動素子にボンディングワイヤーを介して結線される結線部とがメッキパターンにて形成され、該両面メッキパターンの一部を接続するためのスルーホールが設けられ、該スルーホールに多分割後に電極となるスルーホールメッキ部が形成され、前記光半導体素子及び駆動素子が両凹面に搭載されたことを特徴とする光半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 25/16
, H01L 31/12
