特許

J-GLOBAL ID：200903016053411451

レジスト除去用組成物及びこれを利用したレジスト除去方法

発明者： 朴 東 鎮 ,  金 経 大 ,  全 相 文 ,  黄 震 虎 ,  孫 一 現 ,  朴 相 五 ,  田 弼 権
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-165960
公開番号（公開出願番号）：特開2003-098691
出願日： 2002年06月06日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 レジストだけでなくポリマーのようなエッチング副産物の除去力に優れ、下部膜を損傷させず、脱イオン水リンス後に残査及び残留物が残らないように適当な粘度を有する組成物を提供する。【解決手段】 アルコキシN-ヒドロキシアルキルアルカンアミドと、膨潤剤とを含み、必要に応じて双極子モーメントが3以上の極性物質、損傷防止剤及びアルカノールアミンからなる群より選択される一以上の化合物をさらに含むことを特徴とするレジスト除去用組成物である。

請求項（抜粋）：

アルコキシN-ヒドロキシアルキルアルカンアミドと、膨潤剤とを含むことを特徴とするレジスト除去用組成物。

IPC (8件)：

G03F 7/42 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/34 ,  C11D 7/50 ,  C11D 7/60 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (8件)：

G03F 7/42 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/34 ,  C11D 7/50 ,  C11D 7/60 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/302 104 H

Fターム (21件)：

2H096AA25 ,  2H096LA03 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DB03 ,  4H003EB03 ,  4H003EB04 ,  4H003EB07 ,  4H003EB08 ,  4H003EB14 ,  4H003EB17 ,  4H003EB20 ,  4H003EB21 ,  4H003ED02 ,  4H003ED28 ,  4H003ED31 ,  4H003FA04 ,  5F004AA09 ,  5F004BD01 ,  5F004FA08 ,  5F046MA02

引用特許：

審査官引用 (5件)

• アルコキシN-ヒドロキシアルキルアルカンアミドからなるレジスト除去剤、レジスト除去用組成物、これらの製造方法及びこれらを用いたレジスト除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-210983   出願人：三星電子株式会社
• フォトレジスト剥離剤及び半導体集積回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-091521   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• フォトレジスト剥離用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-178927   出願人：東レ・ファインケミカル株式会社
• フリーヒドロキシルアミン水溶液の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-260831   出願人：東レ・ファインケミカル株式会社
• フォトレジストの剥離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-245486   出願人：三菱瓦斯化学株式会社