特許

J-GLOBAL ID：200903016054596102

半導体用パッケージ

発明者： 芹澤 精一 ,  井川 匡弘 ,  高崎 隆治
出願人/特許権者： 芹澤 精一
代理人 (1件)： 勝部 明長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-334926
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163609
出願日： 1992年11月24日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 この発明は薄い金めっき層でも性能劣化が起こらないようにした半導体用パッケージを提供するものである。【構成】 この発明はシリコン半導体チップがAu-Si共晶反応でチップマウント部にマウントされ、かつチップマウント部は表面に金めっき層を有する半導体用パッケージにおいて、前記チップマウント部の金めっき層の下地として厚み0.01〜10μのFe含有量が重量比で0.1〜50%のNi-Fe合金層を設けたことを特徴とする半導体用パッケージを提供するものである。

請求項（抜粋）：

シリコン半導体チップがAu-Si共晶反応でチップマウント部にマウントされ、かつチップマウント部は表面に金めっき層を有する半導体用パッケージにおいて、前記チップマウント部の金めっき層の下地として厚み0.01〜10μのFe含有量が重量比で0.1〜50%のNi-Fe合金層を設けたことを特徴とする半導体用パッケージ。

IPC (4件)：

H01L 21/52 ,  C23C 18/52 ,  C23C 30/00 ,  H01L 23/12