特許

J-GLOBAL ID：200903016057552904

半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者： 若島 清 ,  古里 康博
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-234083
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082695
出願日： 1995年09月12日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】基板の反りに影響されることなく薄膜を均一に生成することができる常圧CVD(化学気相成長)装置を提供する。【解決手段】半導体基板2は下方よりヒ-タ部7により加熱されている加熱板3上に載せられ、半導体基板2の上方に設置された反応ガス供給ノズル4より反応ガスが供給される。加熱板3は上面に半導体基板2を1枚ずつ埋没して支持する凹部9を有し、半導体基板2は加熱板3との接触部からの熱伝導のみでなく凹部9側壁面からの熱輻射により加熱される。

請求項（抜粋）：

半導体基板を支持する加熱板と、前記加熱板を加熱するヒ-タ部と、反応ガス供給ノズルとを具備する常圧CVD(化学気相成長)装置において、前記加熱板は上面に前記半導体基板を1枚ずつ埋没した状態で支持する凹部を有することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/31 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 X