特許

J-GLOBAL ID：200903016059088008

多結晶シリコン素子およびその製造方法

発明者： 大関 茂樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-128499
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323714
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】性能、信頼性を向上した薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供することにある。【解決手段】多結晶シリコンを活性層とするコプラナー型の薄膜トランジスタを形成する際、パターニングして所望の形状に形成された凹所12を有するアンダーコート膜2の上に、ポリシリコン膜3を形成する。このポリシリコン膜の表面をケミカル-メカニカル研磨法(CMP)法によって研磨し、ポリシリコン粒界部の突起が取り除かれアンダーコート膜の表面と同一平面に位置した平坦面とする。そして、研磨されたポリシリコン膜およびアンダーコート膜上にゲート絶縁膜4、ゲート電極5、層間絶縁膜6、ソースおよびドレイン電極7,8を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成されているとともに所定形状の凹所を有したアンダーコート膜と、上記アンダーコート膜の凹所内に形成されているとともに、アンダーコート膜の表面とほぼ同一平面内に位置した平坦面を有した多結晶シリコン膜と、上記多結晶シリコン膜の平坦面上に絶縁膜を介して設けられた電極と、を備えたことを特徴とする多結晶シリコン素子。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 627 A ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 626 C

Fターム (38件)：

5F110AA06 ,  5F110AA09 ,  5F110AA18 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110FF32 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ22 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN24 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ19