特許

J-GLOBAL ID：200903016059538208

球状シリカの製造方法

発明者： 溶原 康裕 ,  森下 和男 ,  佐藤 一 ,  三橋 隆史
出願人/特許権者： 三菱レイヨン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-085302
公開番号（公開出願番号）：特開2003-277044
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】【課題】 IC封止材用樹脂の充填材、基板、電子材料や半導体製造装置用高純度シリカガラス及び石英ガラス、光学ガラスの原料用途等に適するゾルゲル法により合成される球状シリカであって、焼成の際、固結を生じさせることなく、粗粒切れの良い球状シリカの製造方法を提供する。【解決手段】 焼成前の球状シリカゲルに含まれるLi、Na、Kの含有量の合計が10ppm以下の球状シリカゲルをスクリーン等を使用して解砕した後、600°C以上の温度で焼成することを特徴とする球状シリカの製造方法。さらに、解砕前の球状シリカゲルが0.005質量%以上の酸水溶液で洗浄した後、純水で洗浄することにより得られた球状シリカゲルである前記球状シリカの製造方法。

請求項（抜粋）：

Li、Na、Kの含有量の合計が10ppm以下の球状シリカゲルを解砕した後、600°C以上の温度で焼成することを特徴とする球状シリカの製造方法。

IPC (2件)：

C01B 33/157 ,  C01B 33/152

FI (2件)：

C01B 33/157 ,  C01B 33/152

Fターム (27件)：

4G072AA25 ,  4G072AA28 ,  4G072BB07 ,  4G072CC10 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH19 ,  4G072HH21 ,  4G072HH22 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ13 ,  4G072LL06 ,  4G072MM01 ,  4G072MM23 ,  4G072MM26 ,  4G072MM31 ,  4G072MM35 ,  4G072MM36 ,  4G072PP05 ,  4G072PP17 ,  4G072RR05 ,  4G072RR07 ,  4G072RR12 ,  4G072SS01 ,  4G072TT01 ,  4G072TT19 ,  4G072TT20