特許
J-GLOBAL ID:200903016062436718
慣性センサチップの製造方法および慣性センサチップ半製品
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
草野 卓 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-286334
公開番号(公開出願番号):特開2000-111349
出願日: 1998年10月08日
公開日(公表日): 2000年04月18日
要約:
【要約】【課題】 微小間隙に対する粉塵の進入防止に純水を使用する慣性センサチップの製造方法および慣性センサチップ半製品を提供する。【解決手段】 1枚のシリコン基板或は溶融石英基板バルクマイクロマシニング製造技術を適用し慣性センサ質量部11をマトリックス状に多数形成した質量部形成基板1を具備し、質量部形成基板1を上側支持基板2と下側支持基板3の間に挟み込んで三者を接合一体化して構成した慣性センサチップ半製品において、上側支持基板2および下側支持基板3の一方或は双方にダイヤフラム部21、31を形成した慣性センサチップの製造方法および慣性センサチップ半製品。
請求項(抜粋):
1枚のシリコン基板或は溶融石英基板バルクマイクロマシニング製造技術を適用して慣性センサ質量部をマトリックス状に多数形成した質量部形成基板を具備し、質量部形成基板を上側支持基板と下側支持基板の間に挟み込んで三者を接合一体化して構成した慣性センサチップ半製品において、上側支持基板および下側支持基板の一方或は双方にダイヤフラム部を形成したことを特徴とする慣性センサチップ半製品。
IPC (4件):
G01C 19/56
, G01P 9/04
, H01L 21/301
, H01L 29/84
FI (4件):
G01C 19/56
, G01P 9/04
, H01L 29/84 Z
, H01L 21/78 Q
Fターム (14件):
2F105AA10
, 2F105BB14
, 2F105BB15
, 2F105BB20
, 4M112AA01
, 4M112BA01
, 4M112BA07
, 4M112CA26
, 4M112CA35
, 4M112DA16
, 4M112DA18
, 4M112EA02
, 4M112EA13
, 4M112GA01
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