パターン形成方法および感光性組成物

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-174638
公開番号（公開出願番号）：特開2000-010289
出願日： 1998年06月22日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】高いエッチング選択比でレジストパターンを形成して、被加工層を精度よく加工することが可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】被加工層上に、ケイ素-ケイ素結合を主鎖に有するケイ素化合物を含有した有機ケイ素膜を形成する工程と、前記有機ケイ素膜にパターン露光を行なって、有機ケイ素膜の露光部にシロキサン結合を形成する工程と、露光後の有機ケイ素膜に還元性物質を接触させて、還元された物質からなる膜を前記有機ケイ素膜の未露光部に選択的に形成する工程と、前記還元された物質からなる膜をマスクとして前記有機ケイ素膜をエッチングして有機ケイ素膜パターンを形成する工程と、前記有機ケイ素膜パターンをマスクとして被加工層をエッチングする工程とを具備する方法である。

請求項（抜粋）：

被加工層上に、ケイ素-ケイ素結合を主鎖に有するケイ素化合物を含有した有機ケイ素膜を形成する工程と、前記有機ケイ素膜にパターン露光を行なって、有機ケイ素膜の露光部にシロキサン結合を形成する工程と、露光後の有機ケイ素膜に還元性物質を接触させて、還元された物質からなる膜を前記有機ケイ素膜の未露光部に選択的に形成する工程と、前記還元された物質からなる膜をマスクとして前記有機ケイ素膜をエッチングして有機ケイ素膜パターンを形成する工程と、前記有機ケイ素膜パターンをマスクとして被加工層をエッチングする工程とを具備するパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/075 511 , G03F 7/38 512 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/075 511 , G03F 7/38 512 , H01L 21/30 572 A

Fターム (25件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BH04 , 2H025BJ10 , 2H025CB41 , 2H025CC20 , 2H025DA40 , 2H025FA17 , 2H025FA28 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096CA02 , 2H096EA04 , 2H096FA05 , 2H096FA10 , 2H096HA23 , 5F046AA28 , 5F046LA18 , 5F046NA01

引用特許：

審査官引用 (7件)

レジスト
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-105164 出願人：株式会社東芝
特開昭64-056732
特開昭63-038933

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