特許
J-GLOBAL ID：200903016065157062
炭化珪素単結晶基板の製造方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-401178
公開番号（公開出願番号）：特開2002-201098
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：
【要約】【課題】 積層欠陥が低減された3C-SiC単結晶からなる基板を再現性良く製造する。【解決手段】 SiC単結晶基板の製造方法において、Si基板11の表面にラインアンドスペース状の複数の起伏を形成したのち、このSi基板11の表面上に第1の3C-SiC層21をエピタキシャル成長し、次いで第1の3C-SiC層21からSi基板11を除去し、しかるのち露出した第1の3C-SiC層21の起伏を有する表面上に第2の3C-SiC層22をエピタキシャル成長してその表面を平坦化する。
請求項（抜粋）：
バルク結晶基板の表面の少なくとも一部に複数の起伏を形成する工程と、前記起伏が形成された結晶基板の表面上に立方晶系の第1のSiC層をエピタキシャル成長する工程と、第1のSiC層から前記結晶基板を除去する工程、前記結晶基板の除去により露出した第1のSiC層の表面上に立方晶系の第2のSiC層をエピタキシャル成長してその表面を平坦化する工程とを含むことを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/36 A
, H01L 21/205
4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077DB13
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077EE07
, 4G077TC11
, 4G077TK04
, 5F045AA03
, 5F045AB06
, 5F045AC03
, 5F045AC09
, 5F045AD14
, 5F045AE17
, 5F045AF02
, 5F045AF03
, 5F045BB12
, 5F045DA63
