特許

J-GLOBAL ID：200903016068359510

端部に段差と曲面を有する半導体ウェーハとその加工方法

発明者： 吉田 隆文
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ワッカー・エヌエスシーイー株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-160857
公開番号（公開出願番号）：特開2001-338852
出願日： 2000年05月30日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】【課題】 超LSIデバイスのCMPプロセスにおける端部の研磨速度上昇を抑え、また電極接地部の銅膜異常成長を防止し、膜剥離を抑制してスクラッチの発生を防止し半導体デバイスの歩留まりを向上する半導体ウェーハ表面の端面形状と加工方法を提供する。【解決手段】 半導体デバイス製造に用いる半導体ウェーハ表面の端部形状に関わるものであって、ウェーハ端部に段差と曲面を設けることを特徴とする半導体ウェーハ表面の端部形状である。その際、段差が、ウェーハ表面の垂直方向の深さにおいては25μm〜500μm、ウェーハ表面に平行な方向のウェーハ外周端部からの距離においては300μm〜5000μm、曲面が、前記段差の最外部で曲率半径が300μm〜3000μm、前記段差の凹部で300μm〜3000μm、前記段差の凸部で300μm〜3000μmとすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

周縁部(1)が内周部(2)と段差を形成するように前記内周部より薄肉に形成され且つ前記周縁部の端部(4)および段差部(3)の上部断面形状が曲線で形成されていることを特徴とする半導体ウェーハ。

IPC (5件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/304 621 E ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/88 M

Fターム (12件)：

4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104DD75 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033XX00 ,  5F033XX31 ,  5F043AA02 ,  5F043DD16 ,  5F043FF10