特許

J-GLOBAL ID：200903016070242035

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 岡本 裕
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-264588
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107214
出願日： 1994年10月04日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【目的】 活性層としての半導体層が大気中の不純物によって汚染されるのを防止して、閾値電圧の変動を防止する。【構成】 活性層としての多結晶Si層16を形成するための非晶質Si層15を堆積時から大気と遮断した状態で、その表面にSiO2 膜17を形成する。このため、非晶質Si層15及び多結晶Si層16が大気中の不純物によって汚染されるのを防止することができ、この汚染による閾値電圧の変動を防止することができる。

請求項（抜粋）：

活性層にするための半導体層を堆積させる工程と、前記堆積時から大気と遮断した状態の前記半導体層の表面に半導体酸化膜を形成する工程とを具備することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 627 B