電子薄膜部品およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-151946
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045781
出願日： 1995年06月19日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】優れた接着性、十分な導電性を示し疲労を示さない優れた電極層を有する電子薄膜部品を提供する。【構成】基板と、底部電極、頂部電極および、随意の、1つ以上の中間電極のための電極層を備え、さらに機能的中間層を備える、前記電極層が導電性の、酸化物化合物を含む電子薄膜部品であって、少なくとも1つの電極層が TiOx 、式中1≦x≦2、 EuOx 、式中1≦x≦2、等の特定の酸化物から成るか、あるいは前記酸化物化合物の物理的混合物および/または固溶体から成るか、あるいは50重量%以下のさらなる化合物もしくは金属を添加した前記酸化物化合物の物理的混合物および/または固溶体から成る電子薄膜部品。

請求項（抜粋）：

基板と、底部電極、頂部電極および、随意の、1つ以上の中間電極のための電極層を備え、さらに機能的中間層を備え、前記電極層が導電性の、酸化物化合物を含む電子薄膜部品であって、少なくとも1つの電極層が TiO<SB></SB><SB>x </SB>、式中1≦x≦2、 EuO<SB>x </SB>、式中1≦x≦2、LiTi<SB>2</SB>O<SB>4 </SB>、LiV<SB>2</SB>O<SB>4</SB>、SrVO<SB>3 </SB>、Er<SB></SB><SB>x </SB>NbO<SB>3</SB>、式中0.65≦x≦0.92、RbWO<SB>3 </SB>、Na<SB>x </SB>WO<SB>3 </SB>、A<SB>2</SB>P<SB>8</SB>W<SB>32</SB>O<SB>112 </SB>、式中A=K、Rb、Tl、Na<SB>x </SB>Ta<SB>y </SB>W<SB>1-y</SB>O<SB>3</SB>、式中x=0.64およびx-y=0.18、Na<SB>1-x </SB>Sr<SB>x </SB>NbO<SB>3</SB>、LaTiO<SB>3</SB>、CeTiO<SB>3</SB>、CaVO<SB>3</SB> 、La<SB>1-x </SB>Sr<SB>x </SB>VO<SB>3</SB> 、SrCoO<SB>3</SB>、CaRuO<SB>3</SB>、SrRuO<SB>3</SB>、BaRuO<SB>3</SB>、BaPbO<SB>3</SB>、SrMoO<SB>3</SB>、Sr<SB>0.5</SB>La<SB>0.5</SB>O<SB>3</SB>、La<SB>4 </SB>BaCu<SB>5</SB>O<SB>13-x</SB>、La<SB>2-x </SB>Sr<SB>x </SB>CuO<SB>4- </SB>δ、YBa<SB>2</SB>Cu<SB></SB><SB>3</SB>O<SB>7-</SB>δ、Bi<SB>2</SB>Sr<SB>2</SB>CaCu<SB>2</SB>O<SB>8+d </SB>、Bi<SB>2</SB>Sr<SB>2</SB>CuO<SB>6+d</SB>、Bi<SB>2</SB>Sr<SB>2</SB>Ca<SB>2</SB>Cu<SB>3</SB>O<SB>10+d </SB>、Tl<SB>2</SB>Ba<SB>2</SB>CaCu<SB>2</SB>O<SB></SB><SB>8 </SB>、TlBa<SB>2</SB>CuO<SB>6+d </SB>、Tl<SB>2</SB>Ba<SB>2</SB>Ca<SB>2</SB>Cu<SB>3</SB>O<SB>10+d </SB>、La<SB>4</SB>BaCu<SB>6</SB>O<SB>15 </SB>、Gd<SB>1-x </SB>Sr<SB>x </SB>VO<SB>3 </SB>、CaCrO<SB>3</SB>、SrFeO<SB>3</SB>、EuNbO<SB>3</SB>、SrIrO<SB>3</SB>、CaMoO<SB>3</SB>、BaMoO<SB>3</SB>、Bi<SB>3</SB>Ru<SB>3</SB>O<SB>11 </SB>、VO<SB>2</SB> 、CrO<SB>2</SB>、MoO<SB>2</SB>、WO<SB>2</SB> 、RhO<SB>2</SB>、PtO<SB>2</SB>、 RuO<SB>x </SB>、式中 1.5≦x<2、 IrO<SB>x </SB>、式中 1.5≦x≦2、SnO<SB>2-x </SB>、La<SB>3</SB>Ni<SB>2</SB>O<SB>7</SB>、La<SB>3</SB>Ni<SB>3</SB>O<SB>10 </SB>、M<SB>2</SB>V<SB>2</SB>O<SB>7-x</SB>、式中M=Tm、Lu、M<SB>2</SB>Mo<SB>2</SB>O<SB>7</SB> 、式中M=Nd、Sm、Gd、Lu<SB>2</SB>Ru<SB>2</SB>O<SB>7</SB>、Pb<SB>2</SB>Ru<SB>2</SB>O<SB>7</SB>、Bi<SB>2</SB>Ru<SB>2</SB>O<SB>7</SB>、Pb<SB>2</SB>Os<SB>2</SB>O<SB>7</SB>、Tl<SB>2</SB>Os<SB>2</SB>O<SB>7</SB>、Pb<SB>2</SB>Ir<SB>2</SB>O<SB>2</SB>、Tl<SB>2</SB>Rh<SB>2</SB>O<SB>7-x</SB>、K<SB>0.3</SB>MoO<SB>3</SB>、Rb<SB>0.3</SB>MoO<SB>3</SB> 、Tl<SB>0.3</SB>MoO<SB>3</SB> 、 M<SB>x </SB>V<SB>2</SB>O<SB>5</SB>、式中M=Cu、Na、Mo<SB>17</SB>O<SB>47 </SB>もしくはTl<SB>2</SB>O<SB>3-x </SB>から成るか、あるいは前記酸化物化合物の物理的混合物および/または固溶体から成るか、あるいは50重量%以下のさらなる化合物もしくは金属を添加した前記酸化物化合物の物理的混合物および/または固溶体から成ることを特徴とする電子薄膜部品。

IPC (5件)：

H01G 4/33 , C23C 22/00 , C23C 22/82 , C23C 26/00 , H01C 7/00

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平4-085878
強誘電性素子のための多層電極
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-086509 出願人：シャープ株式会社
マイクロエレクトロニクス構造とその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-007170 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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