特許
J-GLOBAL ID:200903016076037930
合金又は化合物クラスター粒子の製造方法及び装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小倉 亘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-112831
公開番号(公開出願番号):特開2000-309866
出願日: 1999年04月20日
公開日(公表日): 2000年11月07日
要約:
【要約】【目的】 粒径及び組成を自由に調整でき、粒度分布が極めて狭い合金又は化合物クラスターを製造する。【構成】 真空雰囲気に配置した同一金属蒸気発生室10に複数種のターゲット11a,11bを配置し、独立したターゲット用電源12a,12bから個々のターゲット11a,11bにパワーを印加して金属蒸気を発生させる。発生した異種金属蒸気を金属蒸気発生室10内で相互に反応させてクラスターを合成し、クラスター成長室20及び差動排気室30を経て合成クラスターをクラスター蒸着室40に送り、基板41上に蒸着させる。金属蒸気発生室10に導入されるキャリアガスGには、体積流量で5〜80%のHeを或いは酸素,窒素等の反応性ガスを添加できる。キャリアガスGの導入により、スパッタリング中の金属蒸気発生室が雰囲気圧0.1〜5トールに維持される。
請求項(抜粋):
真空雰囲気に配置した同一金属蒸気発生室に複数種のターゲットを配置し、独立したターゲット用電源から個々のターゲットにパワーを印加して金属蒸気を発生させ、異種金属蒸気を金属蒸気発生室内で相互に反応させてクラスターを合成し、クラスター成長室及び差動排気室を経て合成クラスターをクラスター蒸着室に送り、クラスター蒸着室内に配置されている基板上に蒸着させることを特徴とする合金又は化合物クラスター粒子の製造方法。
Fターム (11件):
4K029BA21
, 4K029CA01
, 4K029CA05
, 4K029DA01
, 4K029DA02
, 4K029DB03
, 4K029DB17
, 4K029DC03
, 4K029DC16
, 4K029EA03
, 4K029EA05
引用特許:
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