特許

J-GLOBAL ID：200903016077494579

ニオブ焼結体、その製造方法及びその焼結体を用いたコンデンサ

発明者： 内藤 一美 ,  河邊 功
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 大家 邦久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-122154
公開番号（公開出願番号）：特開2002-008952
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 容量が大きい割りに漏れ電流値(LC値)が良好なニオブ焼結体、その焼結体の製造方法及びその焼結体を用いたコンデンサを提供する。【解決手段】 (1)ニオブ粉を焼結したニオブ焼結体において、単位質量あたりの容量(C:単位μF/g)と化成電圧(V:単位V)の積(CV)の値が9万μF・V/g以上であって、ニオブ粉の一次粒子の平均粒径(D50:単位μm)と漏れ電流(LC:単位μA/g)との積をCVで除した数値が5×10-4μm・μA/(μF・V)以下であるニオブ焼結体、(2)ニオブ粉を500〜2000°Cの温度で、最高焼結温度における放置時間を60〜150分として焼結するニオブ焼結体の製造方法、及び(3)その焼結体を用いたコンデンサ。

請求項（抜粋）：

ニオブ粉を焼結したニオブ焼結体において、単位質量あたりの容量(C:単位μF/g)と化成電圧(V:単位V)の積(CV)の値が9万μF・V/g以上であって、ニオブ粉の一次粒子の平均粒径(D50:単位μm)と漏れ電流(LC:単位μA/g)との積をCVで除した数値が5×10-4μm・μA/(μF・V)以下であるニオブ焼結体。

IPC (3件)：

H01G 9/052 ,  H01G 9/028 ,  H01G 9/035

FI (4件)：

H01G 9/05 K ,  H01G 9/02 311 ,  H01G 9/02 331 B ,  H01G 9/02 331 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-233307   出願人：スタルクヴイテック株式会社
• 特開平1-167206
  
• 固体電解コンデンサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-133791   出願人：日本電気株式会社