特許
J-GLOBAL ID：200903016082343732
化合物半導体製造装置及び有機金属材料容器
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-071381
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295862
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 化学的気相成長法を用いた化合物半導体製造装置において、結晶の層厚,組成の分布の均一性、及び添加不純物濃度の均一性の向上を図る。【構成】 V族ガス、III 族ガス、不純物ガスをそれぞれ独立した配管12a、12b、43a,43bを用いて反応管3に導入するとともに、ニードルバルブ29によってその流量を制御する。【効果】 材料ガスの分解率を考慮したガス分配比を設定でき、また気相中の不純物濃度及び分配比を制御できる。
請求項（抜粋）：
材料ガスの流量を調整する前段側流量調整手段と、流量の調整された各材料ガスを混合する混合配管と、該混合配管先端に接続された複数の分岐配管と、各分岐配管を流れる材料ガスの流量を調整して反応管に供給する後段側流量調整手段とを備え、反応管内に配置されたウエハ上に上記材料ガスの分解物からなる結晶を成長させる化合物半導体製造装置において、上記混合配管内の圧力を検出する圧力検出手段と、該圧力検出手段出力を受け、上記混合配管内の圧力が一定となるように、上記後段側流量調整手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする化合物半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 35/00
, H01L 21/365
