特許

J-GLOBAL ID：200903016084530157

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 清水 俊雄 ,  久保田 剛 ,  古山 充利
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-105361
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293718
出願日： 1996年04月25日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】溶融された金属材料をコンタクトホールやトレンチに完全に埋め込むことができる半導体製造装置を提供すること。【解決手段】半導体基板9と、半導体基板9上に成膜した金属材料を溶融可能な溶融エネルギのレーザ光を出力する溶融用エキシマレーザ3と、溶融用エキシマレーザ3による溶融に先だって、溶融エネルギよりも低いエネルギを有するレーザ光を半導体基板9上の金属材料に照射して予備加熱する加熱用エキシマレーザ1とを具備する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に成膜した金属材料を溶融可能な溶融エネルギのレーザ光を出力する溶融用エキシマレーザと、この溶融用エキシマレーザによる金属材料の溶融に先だって、前記溶融エネルギよりも低いエネルギを有するレーザ光を前記半導体基板上の金属材料に照射して予備加熱する加熱用エキシマレーザと、を具備することを特徴とする半導体製造装置。