特許

J-GLOBAL ID：200903016087471046

窒化物系化合物半導体の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子

発明者： 木村 明隆 ,  笹岡 千秋 ,  山口 敦史 ,  仁道 正明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-150761
公開番号（公開出願番号）：特開平10-341060
出願日： 1997年06月09日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体のC面内に非等方的な歪を加えることの出来る結晶成長方法を提供し、発振しきい値キャリア密度の低い窒化ガリウム系レーザおよび発光効率の良い窒化ガリウム系発光ダイオードを実現する。【解決手段】 有機金属化学気相成長法を用いて、M面サファイア基板上に、(11-22)面を表面とする窒化ガリウム系化合物半導体を形成する。前記結晶成長方法により形成された窒化ガリウム系化合物半導体層を少なくとも含む窒化ガリウム系発光素子を形成する。この場合、窒化ガリウム系化合物半導体層のC面内には、サファイア基板との格子定数差や熱膨張係数差のため、非等方的な歪が加わり、窒化ガリウム系化合物半導体の価電子帯状態密度が減少する。

請求項（抜粋）：

(01-10)面または(01-10)面からの傾斜角が5°以内である面を表面とするサファイア基板上に、(11-22)面または(11-22)面からの傾斜角が5°以内である面を表面とするInx Aly Ga1-x-y N層(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C