特許
J-GLOBAL ID:200903016089148161
レジスト材料及びパタ-ン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-255113
公開番号(公開出願番号):特開2000-162768
出願日: 1999年09月09日
公開日(公表日): 2000年06月16日
要約:
【要約】【課題】 基板に塗布されたレジスト材料表面と水若しくはアルカリ現像液との界面の接触角を、添加量を増加させるに従って低下させるフッ素系界面活性剤を含有することを特徴とするレジスト材料を提供する。【解決手段】 本発明のレジスト材料は、膜厚均一性が良好で、しかも塗布欠陥がなく、アルカリ現像液との塗れ性に優れていて、更には溶液でのパーティクルが増加せず、保存安定性が良好であって、しかも高エネルギー線に感応し、感度、解像性、再現性にも優れている。また、パターンがオーバーハング状になりにくく、寸法制御性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にKrF,ArFエキシマレーザーの露光波長での超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。
請求項(抜粋):
基板に塗布されたレジスト材料表面と水若しくはアルカリ現像液との界面の接触角を、添加量を増加させるに従って低下させるフッ素系界面活性剤を含有することを特徴とするレジスト材料。
IPC (4件):
G03F 7/004 504
, G03F 7/00 503
, G03F 7/038 501
, G03F 7/039 501
FI (4件):
G03F 7/004 504
, G03F 7/00 503
, G03F 7/038 501
, G03F 7/039 501
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