特許
J-GLOBAL ID：200903016089588498
半導体集積回路用配線およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-182832
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005713
出願日： 1992年06月18日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 積層構造の半導体集積回路用配線のスルーホールのEM耐性を向上させ、信頼性を向上させる。【構成】 絶縁層6を介して下層配線1と上層配線2を多層形成する。絶縁層6にスルーホール3を形成し、この中に配線1、2とは異なる種類の金属または合金からなる配線接続用金属層8を充填形成する。下層配線1を陰極側配線とし、上層配線2を陽極側配線とし、この陽極側となる上層配線2のスルーホール3に対応するパッド部9Bの一部周縁に所要長さの配線部10を延長形成する。
請求項（抜粋）：
二層以上の多層配線構造を有する配線の下層と上層の配線がスルーホールによって電気的に接続されており、当該スルーホール内に配線層とは異なる種類の金属または合金が電流経路を横切る状態で存在する半導体集積回路用配線において、上層配線と下層配線のうち陽極側となる配線のスルーホールに対応するパッド部の一部周縁に所要長さの配線部が延長形成されていることを特徴とする半導体集積回路用配線。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
