半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-190447
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036678
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】シリコン酸化膜をゲート酸化膜として有する半導体装置の製造方法において、ゲート酸化膜の初期絶縁耐圧の低減化、長期信頼性不良の低減を目的とする。【構成】ゲート酸化前にシリコン基板1と熱酸化膜のエッチング速度の比が0.5から2の範囲にあるエッチング方法で、シリコン基板1を10から20nmエッチングすることにより、シリコン基板表面の微小欠陥に捕獲された金属不純物を除去することができ、かつ素子分離領域でのシリコン段差も発生しないので、ゲート酸化膜の初期絶縁耐圧および長期信頼性不良の低減ができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面を洗浄したのち熱酸化法によりゲート酸化膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記洗浄を行う前に、シリコン基板と熱酸化法による酸化シリコン膜とのエッチング速度比が0.5から2の範囲にあるエッチング法により前記シリコン基板を10から20nmの深さにエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 21/306

引用特許：

審査官引用 (3件)

特公昭53-042670
特開昭54-019667
特開平2-100320

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