特許
J-GLOBAL ID:200903016093749412

ガス・ハイドレートを製造する方法および装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-515857
公開番号(公開出願番号):特表2001-519470
出願日: 1998年09月25日
公開日(公表日): 2001年10月23日
要約:
【要約】ガス・ハイドレートはハイドレート形成ガスおよび水を、流動または膨張床反応ゾーンを有する反応容器(12)に導入することにより製造される。反応容器は上側部分(14)および下側部分(16)を有し、上側部分の断面積は下側部分の断面積よりも大きい。ガスは高圧下で反応容器の下側部分に導入される。好ましくは水およびガスは向流となるように反応器を流れ、流動または膨張床反応ゾーンに流れる。ガス・ハイドレート粒子は適当な生成物取出し装置(40)を用いて反応器から取り出され、未反応のハイドレート形成ガスは反応容器の上側部分から取り出され、もとの流動または膨張反応床にリサイクルされる。当該プロセスを実施する装置はまた、反応容器の壁の少なくとも1つの少なくとも一部を除霜し得るように除霜装置(50)を含む。
請求項(抜粋):
ガス・ハイドレートを製造する方法であって: ハイドレート形成ガスを流動または膨張反応床に導入し、ハイドレート形成ガスが流動または膨張反応床を形成しまたは維持するのに必要なガスの流れの少なくとも一部を供給するようにすること; 水を流動または膨張反応床に導入し、ハイドレート形成ガスおよび水が反応してガス・ハイドレート粒子を形成し、そのように形成されたガス・ハイドレート粒子の少なくとも一部が流動または膨張反応床の固体材料を供給するようにすること;ならびに 少なくとも一部のガス・ハイドレート粒子を流動または膨張反応床から取り除くことを含む方法。
IPC (4件):
C10L 3/00 ,  C07C 5/00 ,  C07C 7/20 ,  C07C 9/02
FI (4件):
C07C 5/00 ,  C07C 7/20 ,  C07C 9/02 ,  C10L 3/00 Z
Fターム (6件):
4H006AA02 ,  4H006AC90 ,  4H006AC93 ,  4H006AD33 ,  4H006BD30 ,  4H006BD80

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